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除了开发第二代和第三代2nm GAA工艺外，三星电子代工业务部门已设定目标，计划在2030年前推出1nm工艺。1nm技术被称为"梦想半导体"工艺，涉及使用新方法排列每个大小相当于五个原子粒子的计算元件。
1nm意味着半导体芯片内负责数据处理的元件宽度仅为目前使用的尖端2nm技术的一半，工艺难度也随之增加。除了元件微型化之外，1nm工艺还将引入一种名为"fork sheet"（叉片）的新结构。在2nm工艺及之前，元件都是使用GAA（全环绕栅极）技术制造的，通过将电流路径从传统的三面增加到四面，从而最大化能效。
"Fork sheet"是一种最小化这些GAA元件之间距离的技术，在GAA元件之间构建电非导电壁的技术，就像插入一把叉子一样。打个比方，这就像从村庄中房屋之间放置草坪的传统结构，转变为竖起巨大混凝土墙壁的结构。正如移除草坪可以创造更多可用空间、允许建造更多房屋一样，这意味着可以在相同的芯片面积内放置更多元件。
三星电子代工业务部门在全球市场排名第二。与占据近70%市场份额的台积电相比，差距约为10倍。据悉，目前主导市场的台积电也在2030年后计划在1nm工艺中引入"fork sheet"技术。业界认为，三星电子通过设定2030年实现1nm工艺的路线图，已准备好与台积电展开同等水平的技术竞争。